深圳市阿赛姆电子有限公司2025-02-20
氧化层是MOS管栅极绝缘层的重要组成部分。较薄的氧化层可以降低栅极电容,提高MOS管的工作速度,但同时也可能降低MOS管的击穿电压,并且可能导致栅极与半导体之间的隧道效应增强,增加漏电流。相反,较厚的氧化层可以提高击穿电压,但会增加电容,降低高频性能。因此,在MOS管制造过程中,需要精确控制氧化层的厚度以满足不同的应用需求。
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